【プレスリリース・研究成果】AlGaN系UV-B半導体レーザー高効率化の鍵を解明

名城大学理工学部 化学・物質学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授らの研究グループは、AlGaN系UV-B半導体レーザーの電力・光エネルギー変換効率（Wall-Plug Efficiency: WPE）を制限する主な要因が、これまで重視されてきた光閉じ込めではなく、内部光損失であることを世界で初めて実験的に明らかにしました。

さらに、内部光損失を最小化する新しいレーザー設計指針を確立し、紫外半導体レーザーでは世界最高レベルとなる5.5%の電力・光エネルギー変換効率を達成しました。

本研究成果は、2026年8月5日にAIP「Applied Physics Letters」（https://doi.org/10.1063/5.0341819）に掲載され、高効率深紫外半導体レーザーの実用化を大きく前進させる成果として評価され、Scilight（Science highlight）とFeatured Article（注目論文）に選出されました

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