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【プレスリリース・研究成果】高出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーの開発に向けて、加熱・加圧した水を使用して基板からAlGaN半導体層を剥離する技術とメカニズムを解明

名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、名城大学理工学部応用化学科の丸山隆弘教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授の研究グループは、高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である、縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーの開発に成功。さらに、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発し、その基板剥離メカニズムも解明しました。

詳しくは、三重大学Rナビ プレスリリースをご覧ください。
https://www.mie-u.ac.jp/R-navi/release/cat801/ledalgan.html

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https://www.mie-u.ac.jp/R-navi/