【プレスリリース・研究成果】世界初：安価なサファイア基板上でAlGaNによるUV-B半導体レーザーの室温連続発振を達成

名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、ウシオ電機株式会社、および株式会社日本製鋼所の研究グループは、深紫外（UV-B１）：280〜320 nm）領域の半導体レーザーにおいて、世界で初めて、安価なサファイア基板を用いて医療に最適な300～320 nm帯域での室温連続発振（CW）を実証しました。基板には低コストで量産性に優れるサファイア基板を使用しており、医療機器・産業用途への普及を大きく前進させる画期的成果です。
本研究成果は、2026年1月 12 日にAIP「Applied Physics Letters」（https://doi.org/10.1063/5.0307059）に掲載され、Featured Article（注目論文）として高く評価されています。

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