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研究の概要
この度、三重大学工学研究科のAbdul-Muizz Pradipto助教、中村浩次教授、産業技術総合研究所の薬師寺啓研究チーム長、京都大学化学研究所のWoo Seung Ham博士課程学生、塩田陽一助教、森山貴広准教授、小野輝男教授らの研究グループは、蔚山大学のSanghoon Kim助教、韓国科学技術院のKyoung-Whan Kim主任研究員、浦項工科大学のHyun-Woo Lee教授、高麗大学校のKyung-Jin Lee教授らの研究グループと共同で、非対称な人工格子構造が操る垂直磁化の新メカニズムを実証しました。
ポイント
・ 不揮発性磁気デバイスの開発に向けて、垂直磁化を示す磁性体多層薄膜の材料設計が重要な鍵となっています。
・ 本研究では、多層薄膜に非対称な人工格子構造を導入することにより、垂直磁化が増強されるメカニズムを世界に先駆け実証しました。
・ これは、バルク・薄膜固有の性質と膜界面の性状に依存しない、新しい垂直磁化発現メカニズムで、デバイス開発に要する時間を大幅に短縮させる開発指針を提供します。
本成果は、2019年5月22日から、米国科学誌Physical Review B: Rapid Communicationsのオンラインで公開されています。
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研究者情報
工学研究科 助教
Abdul Muizz Pradipto
専門分野：計算物理学 磁性 表面界面物性
研究テーマ：第一原理計算によるスピントロニクス薄膜の物性予測と材料設計
工学研究科 教授
中村 浩次（Kohji Nakamura ）
専門分野：計算物理学 固体電子論 磁性
研究テーマ：第一原理計算手法の開発 表面・界面及びナノ構造体の電子構造と磁性 マテリアルズインフォマティクス